Habrá nueva generación de memorias para móviles

Fabricantes japoneses y estadounidenses de semiconductores se han unido para desarrollar una nueva generación de chips de memoria que mejorará el rendimiento de los dispositivos móviles, informó el diario Nikkei. El proyecto, en el que participan cerca de 20 empresas, busca estandarizar los chips de almacenamiento magnético (MRAM), capaces de ofrecer hasta 10 veces más velocidad y capacidad que los actuales de almacenamiento dinámico (DRAM). Por el lado japonés, participarán las principales empresas del sector, tales como Hitachi, Renesas Electronics o Tokyo Electron, tercer fabricante mundial, mientras que por parte de Estados Unidos figurarán también algunas de sus mayores firmas, entre ellas Micron Technology, el segundo mayor productor de chips DRAM. Según el diario, cada empresa enviará próximamente personal de sus equipos de investigación a la universidad de Tohoku, al noreste de Japón, donde se espera comiencen el desarrollo de estos nuevos modelos de memoria a partir de febrero.